三甲基镓 CAS：1445-79-0

别名：TMGa、TMG、三甲基镓烷

理化参数

本品属于高挥发性自燃型金属有机 MO 源，常温下为无色透明流动液体，没有额外添加稳定剂，本身化学活性极强。熔点 - 15.8℃，常压沸点 55.8℃，15℃条件下液体密度 1.151 g/mL，闪点低至 - 18℃，蒸气压较高，常温下就具备明显挥发能力。它可以和干燥的脂肪烃、芳香烃等非极性有机溶剂任意比例互溶，但是遇水会发生剧烈甚至爆炸性反应，快速释放甲烷气体，同时生成镓的羟基氧化物沉淀。 的危险特性是自燃性，一旦暴露在空气当中就会自发起火燃烧，燃烧时生成白色的氧化镓烟尘；在严格隔绝空气、水分的惰性保护氛围下，热稳定性尚可，高温持续加热才会逐步分解，析出金属镓与烷烃类物质。半导体行业使用的产品对纯度要求极其严苛，主流分为 6N、7N 超高纯电子级，金属杂质、颗粒、含氧杂质、氯离子、硅杂质都是核心质控指标，微量杂质会直接影响外延薄膜的光电性能，产品全程采用不锈钢承压钢瓶封装，由高纯氮气或者氩气加压保护输送。

主要用途

1. MOCVD 外延生长核心镓源（核心用途）：是氮化镓基光电器件生产最关键的 MO 前驱体原料，广泛用于蓝绿光 LED、Mini/Micro LED、激光二极管外延片生产。在金属有机化学气相沉积设备内部，三甲基镓和氨气等氮源在高温衬底表面发生热解反应，沉积生长氮化镓外延薄膜，是支撑显示、背光、照明、紫外器件产业的基础原料；同时也用于砷化镓、铝镓砷、铟镓磷等三五族化合物半导体薄膜制备，用于射频器件、毫米波功放、高速晶体管。
2. 第三代功率半导体材料：氧化镓外延薄膜前驱原料，制备超宽禁带氧化镓单晶薄膜，面向高压功率器件、光电探测、日盲紫外探测器领域，依托氧化镓高击穿场强优势开发新能源汽车、电网输电用功率芯片。
3. 光伏与光电薄膜：Ⅲ-Ⅴ 族多结砷化镓太阳能电池外延镓源，这类电池光电转换效率高，多用于航天卫星、聚光光伏电站；也用于稀土掺杂荧光薄膜、透明导电氧化物薄膜的制备。
4. 量子点、纳米材料合成：胶体法制备含镓量子点、镓基纳米微晶、二维镓基材料的前驱试剂，用于红外成像、生物荧光标记、光通讯波段发光材料研发。
5. 有机金属合成与科研：实验室制备各类镓有机配合物、镓基路易斯酸催化剂；配位化学、金属有机反应、催化机理研究的专用底物；气相色谱对照标样。
6. 特种涂层与封装研发：用于制备耐腐蚀、高介电、压电类镓基复合陶瓷薄膜，多用于传感器、高频微波器件研发。

安全要点

本品属于极度危险的自燃性金属有机物料，同时具备强腐蚀、经皮毒性，燃烧产物氧化镓烟尘会严重腐蚀，吸入后可引发、肺部损伤。液体直接接触皮肤会造成深度化学灼伤，溅入眼睛会造成角膜不可逆损伤。所有取样、管路更换、设备操作必须在全封闭惰性气氛系统或者专用无氧无水通风柜内完成，操作人员配备全套气密防护面罩、重型耐溶剂防护服、耐氟耐有机材质防护手套，厂区配备专用干粉灭火系统，严禁用水扑救火情。必须严格隔绝空气、水汽、醇、胺、氧化剂，钢瓶单独分区存放，配备泄漏检测、惰性吹扫、紧急放空联锁系统，建立完整的危化品台账与使用审批流程。生产、测试产生的废液、残气、残渣属于自燃类金属有机高危危废，必须委托具备对应资质单位处置，严禁随意排放。本产品 半导体、科研合规资质企业采购使用，严禁普通化工、食品、日化领域使用。