三甲基铟 CAS：3385-78-2

别名：TMIn、TMI、Trimethylindium

理化参数

本品属于固态金属有机 MO 源，常温下为白色可升华结晶固体，和三甲基镓液态形态有明显区分，具备可观的升华特性，在控温鼓泡输送体系中依靠升华提供稳定的铟源蒸气。密度 1.568 g/cm³，熔点 88℃，常压沸点约 134~136℃，闪点 - 18℃，常温下就拥有可利用的蒸气压，蒸气压随温度变化敏感，是 MOCVD 工艺当中需要精准控温的固态前驱体。它可以和干燥的脂肪烃、芳香烃等非极性有机溶剂互溶，一旦接触水、醇、羧酸等含活泼氢物质会发生剧烈反应，释放甲烷并生成铟的氢氧化物残渣；最核心危险特征是空气中能够自燃，暴露在大气环境下会迅速起火，生成氧化铟白色烟尘。整体化学稳定性弱于三甲基镓，光照、持续升温都会加速自身分解，析出金属铟单质。半导体行业供货以超高纯规格为主，常见 6N、7N 电子级，金属杂质、氧杂质、碳杂质、颗粒含量是严格管控指标，产品封装在专用固态 MO 源钢瓶内，全程使用高纯氩气或者氮气惰性保护，配套专用固态源输送管路与控温鼓泡模块，以此保证外延过程蒸气浓度稳定。

主要用途

1. MOCVD 外延铟源（核心用途）：是制备含铟 Ⅲ-Ⅴ 族化合物半导体薄膜最核心的前驱原料，广泛用于铟镓氮、铟镓磷、铟砷、磷化铟外延生长。大量应用于红光、红外 LED、VCSEL 垂直腔面发射激光器、激光二极管，光纤通信用红外光发射与探测芯片；也是 Mini/Micro LED 多量子阱外延层的关键铟源，调节量子阱当中铟组分，直接决定发光波长。
2. 高效聚光光伏、航天三结电池：多结砷化镓叠层太阳能电池的铟源，这类电池光电转换效率远高于硅基电池，多用于卫星、航天器、聚光光伏电站，通过 调控铟组分匹配不同波段太阳光吸收。
3. 射频、高速电子器件：磷化铟基高电子迁移率晶体管、毫米波射频芯片外延原料，磷化铟器件电子迁移速率高，适合 5G/6G 射频前端、高速光通信接收芯片。
4. 量子点、铟基纳米材料合成：胶体法制备铟磷、铟砷量子点、二维铟基半导体纳米片的前驱体，用于红外探测、近红外生物荧光标记、夜视成像材料研发。
5. 有机金属配位化学科研：实验室制备各类铟金属有机配合物、路易斯酸催化剂，用于偶联、加成等有机反应研究；气相色谱、外延工艺机理对照标样。
6. 特种传感器薄膜：铟基氧化物、铟硫化合物传感薄膜前驱原料，用于气体传感器、光电探测器的薄膜沉积开发。

安全要点

本品属于 I 类高危自燃金属有机物料，急性危险性高，自燃后产生的氧化铟烟尘吸入会损伤，长期吸入会造成肺部蓄积伤害；液体或者熔融物料接触皮肤会造成深度化学灼伤，溅入眼睛会带来不可逆角膜损伤。所有取样、钢瓶更换、管路维护、设备检修操作，必须在密闭惰性管路系统或者专用无氧无水惰性通风柜内进行，操作人员配备气密全面罩、重型耐溶剂防护服、专用防护手套，现场配备干粉灭火装置，严禁用水灭火。储存区域单独隔离，远离水源、醇、胺、氧化剂、强酸强碱，钢瓶做好温控避光，防止受热升华、分解。生产产生的残料、残渣、尾气残液属于自燃类金属有机高危危废，必须委托具备对应资质单位处置。该产品 具备半导体、光电外延资质企业采购使用，普通化工、食品、日化行业禁止使用。